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電流在垂直于磁場(chǎng)的導(dǎo)體中流動(dòng)會(huì)在相對(duì)的兩側(cè)產(chǎn)生一個(gè)電壓，稱為霍爾電壓。導(dǎo)體。雖然自1879年Edwin Hall發(fā)現(xiàn)這種現(xiàn)象以來(lái)已經(jīng)知道這一點(diǎn)，但半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)減小了霍爾效應(yīng)器件的尺寸，并增加了幾個(gè)關(guān)鍵特性，使霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)，傳感器和其他產(chǎn)品在許多應(yīng)用中非常有用。如圖5所示，垂直于半導(dǎo)體封裝平面的磁場(chǎng)和其內(nèi)部的芯片產(chǎn)生低電平的霍爾電壓。霍爾元件配置為惠斯通電橋，需要額外的電路，包括放大和偏移電壓補(bǔ)償。

霍爾效應(yīng)傳感應(yīng)用的設(shè)計(jì)考慮因素包括磁場(chǎng)強(qiáng)度和磁鐵接近度。對(duì)于最小的傳感系統(tǒng)，建議使用釹磁鐵而不是鐵氧體磁鐵。厚度為1 mm或3 mm的4 mm x 4 mm釹磁鐵在磁鐵和霍爾效應(yīng)IC之間的間隔為7.66 mm至10.4 mm。增加檢測(cè)距離需要增加厚度，截面積或兩者。對(duì)于一些手機(jī)，還使用MR（磁阻），GMR（巨磁阻）或AMR（各向異性磁阻）傳感技術(shù)。在這些技術(shù)中，場(chǎng)方向與霍爾效應(yīng)場(chǎng)方向相反，這需要正交磁場(chǎng)。通常，磁體強(qiáng)度需要大約是霍爾效應(yīng)器件的兩倍。然而，在引入霍爾效應(yīng)傳感器的芯片級(jí)封裝之前，MR封裝更小。采用更新，更小的霍爾效應(yīng)IC，如ROHM的產(chǎn)品，采用1.1 mm x 1.1 mm x 0.5 mm CSP（芯片級(jí)封裝），MR封裝尺寸優(yōu)勢(shì)基本消失，特別是因?yàn)樵O(shè)計(jì)人員可以通過(guò)使用更小的尺寸來(lái)節(jié)省空間和成本圖5：當(dāng)磁鐵垂直于流動(dòng)時(shí)，霍爾電壓是由半導(dǎo)體材料中的電流引起的。

ROHM的霍爾效應(yīng)技術(shù)《 br》 ROHM的霍爾效應(yīng)IC使用單個(gè)單片硅芯片和內(nèi)置電路，以提供額外的功能和易于連接。此外，ROHM不是一直使用的模擬輸出，而是率先在輸出端使用CMOS邏輯，以提供低功耗。今天，所有ROHM霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)都使用CMOS推挽邏輯來(lái)提供數(shù)字輸出，無(wú)需其他霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)中常見(jiàn)的單FET輸出所需的外部上拉電阻。 CMOS輸出直接連接到微控制器。圖6顯示了霍爾效應(yīng)元件以及所有ROHM霍爾效應(yīng)IC共用的附加電路，包括時(shí)序邏輯（SW），動(dòng)態(tài)失調(diào)消除，放大，采樣和保持，比較器，振蕩器（OSC），鎖存和推挽輸出。 ROHM的一些霍爾效應(yīng)傳感器具有兩個(gè)推挽輸出，可實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的功能。

采樣和保持電路可降低電池供電應(yīng)用的功耗。 ROHM的霍爾效應(yīng)IC通常具有50毫秒的采樣周期。如圖7所示，器件喚醒48-μs的磁場(chǎng)樣本，然后返回休眠狀態(tài)。因此，2.7 V應(yīng)用的典型工作電流僅為8μA，1.8 V工作時(shí)的典型工作電流甚至更低，僅為5μA。由于ROHM霍爾效應(yīng)IC專為電池供電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，它們可以在低至1.65 V至3.3 V的電壓下工作。專為滾輪或軌跡球應(yīng)用而設(shè)計(jì)的雙極霍爾效應(yīng)IC具有更快的0.5 ms采樣周期。 br》