MOS管的基本參數(圖文)
MOS管的基本參數，大家熟悉的必然是Ids電流，Ron導通電阻，Vgs的閾值電壓，Cgs、Cgd、Cds這幾項，然而在高速應用中，開關速度這個指標比較重要。
上圖四項指標，第一項是導通延時時間，第二項是上升時間，第三項是關閉延時時間，第四項是下降時間。定義如下圖：
在高速H橋應用中，MOS管內部的反向并聯寄生二極管的響應速度指標Trr，也就是二極管的反向恢復時間這個指標很重要，否則容易炸機，下圖為高速二極管。
高速下，二極管也不是理想的，二極管導通后，PN節中充滿了電子和空穴，當瞬間反向加電的時候，需要時間恢復截止，這個類似一扇門打開了，需要時間關上，但在高速下，這個關上的時間太長，就會導致H橋上下管子導通而燒壞。所以在高速應用中，直接因為MOS管工藝寄生的二極管的反向恢復時間太長，所以需要用特殊的工藝制作實現高速的內置二極管，但哪怕特殊工藝制作的，其性能也達不到獨立的高速二極管性能，只是比原MOS管寄生的指標強一些而已，但已經滿足大部分軟開關的需求了，500KHz下沒問題。比如Infineon的C6系列，后綴帶CFD的管子，內部的二極管就是高速的。
若有些場合需要更高速的二極管，而內置的二極管性能達不到，則需要特殊的處理方式，MOS管先串聯二極管，再外部并二極管，這樣子實現，可以應用于頻率超過500KHz的場合。
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MOSFET的擊穿有哪幾種？
Source、Drain、Gate —— 場效應管的三極：源級S、漏級D、柵級G。（這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿）
先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結構上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。
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MOSFET和三極管ON狀態的區別？
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MOS管驅動是指什么
在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
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一般說明
PW2308采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓運行。該器件適合用作電池保護或其他開關應用。
特征 VDS=60V，ID=5A
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一般說明
PW2337采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
VDS=-100V，ID=-0.9A
RDS（開）<650m
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一般說明
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特征
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