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概述
TDM3478使用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和低柵極電荷。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。
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Source、Drain、Gate —— 場(chǎng)效應(yīng)管的三極：源級(jí)S、漏級(jí)D、柵級(jí)G。（這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對(duì)漏極電壓擊穿）

先講測(cè)試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達(dá)到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。

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大家知道，三極管是含有兩個(gè)PN結(jié)的半導(dǎo)體器件。根據(jù)兩個(gè)PN結(jié)連接方式不同，可以分為NPN型和PNP型兩種不同導(dǎo)電類型的三極管。
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1首先當(dāng)我們調(diào)節(jié)可調(diào)電阻R1，使R1=4.3K時(shí)，通過(guò)計(jì)算得到，Ib=(5-0.7)/4.3K=1mA,得出IC=Hfe*Ib=10mA,那么這個(gè)時(shí)候在調(diào)節(jié)R3，使R3=500歐姆，通過(guò)計(jì)算得到
Vc=5-(10mA*0.5K)=0V,接著我們來(lái)看三極管三個(gè)極的電壓（Vb=0.7 Vc=0 Ve=0）2調(diào)節(jié)可調(diào)電阻R1，使R1=4.3K時(shí)，通過(guò)計(jì)算得到
Ib=(5-0.7)/4.3K=1mA,
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一般說(shuō)明
PW2308采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓運(yùn)行。該器件適合用作電池保護(hù)或其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
特征 VDS=60V，ID=5A
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一般說(shuō)明
PW2337采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。
特征
VDS=-100V，ID=-0.9A
RDS（開(kāi)）<650m
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一般說(shuō)明
PW2309采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。
特征
VDS=-60V，ID=-3A
RDS（開(kāi)）<180m&Om
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一般說(shuō)明
PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（開(kāi)）<70m&Ome
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國(guó)內(nèi)命名方法：3DG1815-Y,第一部分用阿拉伯字表示器件的電極數(shù)目 2：表示二極管；3：表示三極管；



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東莞市平尚科技有限公司專營(yíng)生產(chǎn),貼片電容,貼片鉭電容,貼片電阻,貼片電感,貼片二極管,貼片三極管,貼片磁珠,電解電容,高壓電容,高精密電阻/13622673179王小姐竭成為您服務(wù)！
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國(guó)產(chǎn)三極管的型號(hào)命名
國(guó)產(chǎn)三極管的型號(hào)命名由五部分組成
第一部分：國(guó)內(nèi)用數(shù)字“3”表示三極管，國(guó)外用“2”表示三極管。
第二部分：用字母表示三極管的材料和極性。“A”表示PNP型鍺材料，“B”表示NPN型鍺材料，“C”表示PNP型硅材料，“D”表示NPN型硅材料。
第三部分：用字母表示三極管的類別。“X”表示低頻小功率管表示高頻小功率管，“D”表示低頻大功率管，“A”表示高頻大功率管。
第四部分：用數(shù)字表示產(chǎn)品的序號(hào)，序號(hào)不同的三極管其特性不同。
第五部分：用字母表示規(guī)格號(hào)。
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貼片三極管它是一款常用的半導(dǎo)體。它是有兩個(gè)PN結(jié)組成，可以對(duì)電流起放大作用，有3個(gè)引腳，分別為集電極（c)，基極（b)，發(fā)射極（e）。有PNP和NPN型兩種，以材料分有硅材料和鍺材料兩種。
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最簡(jiǎn)單電磁閥驅(qū)動(dòng)電路圖（三極管驅(qū)動(dòng)）

直流電磁閥管路中的流體必須和選用的電磁閥系列型號(hào)中標(biāo)定的介質(zhì)一致。流體的溫度必須小于選用電磁閥的標(biāo)定溫度。
　　晶體管（
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最簡(jiǎn)單電磁閥驅(qū)動(dòng)電路圖（三極管驅(qū)動(dòng)）

直流電磁閥管路中的流體必須和選用的電磁閥系列型號(hào)中標(biāo)定的介質(zhì)一致。流體的溫度必須小于選用電磁閥的標(biāo)定溫度。
　　晶體管（
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三級(jí)管在電路中很常用，使用萬(wàn)能表分辨三級(jí)管的C/E極成為主鍵問(wèn)題，一般情況下都是通過(guò)萬(wàn)用表測(cè)量的方法來(lái)判斷，下面詳細(xì)介紹一些方法：

一般大家非常容易找出三級(jí)管的基
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　　LM386是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的音頻功率放大器,主要應(yīng)用于低電壓消費(fèi)類產(chǎn)品.為使外圍元件最少,電壓增益內(nèi)置為20.但在1腳和8腳之間增加一只外接電阻和電容,便可將電壓增益調(diào)為任意值,直至 200.輸入端以地位參考
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　　6N1是一只中μ雙三極管，μ=35，它具有R低、動(dòng)態(tài)線性寬、頻率特性好、噪聲低等諸多優(yōu)點(diǎn)，能承受較強(qiáng)信號(hào)輸入，并能給出足夠的輸出，既可用于電壓放大，又能用于倒相推動(dòng)，在20世紀(jì)六七十年代可謂名噪一時(shí)，是各
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　　三極管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的電信號(hào)變成一定強(qiáng)度的信號(hào)，當(dāng)然這種轉(zhuǎn)換仍然遵循能量守恒，它只是把電源的能量轉(zhuǎn)換成信號(hào)的能量罷了。三極管有一個(gè)重要參數(shù)就是電流放大系數(shù)β。當(dāng)三極管的基極上
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　　此電路圖是用功率MOSFET管構(gòu)成的功率放大器電路。電路中差動(dòng)第二級(jí)采用型號(hào)為2SJ77的MOSFET，電流鏡像電路采用2SK214。其工作電流為6mA，但電源電壓較高（±50V），晶體管會(huì)發(fā)熱，因此要接入小型散熱器。 :
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