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ST創(chuàng)新高壓晶體管技術(shù)介紹

時(shí)間:2009-07-09 08:41:46來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 作者:admin 點(diǎn)擊:
無(wú)

功率半導(dǎo)體技術(shù)功率半導(dǎo)體技術(shù)的世界領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼:STM)推出全新系列功率MOSFET晶體管,新產(chǎn)品的擊穿電壓更高,抗涌流能力更強(qiáng),電能損耗更低,特別適用于設(shè)計(jì)液晶顯示器、電視機(jī)節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品的高能效電源。

STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個(gè)950V的擊穿電壓級(jí)別產(chǎn)品,此一新級(jí)別的產(chǎn)品特別適用于通過(guò)把工作電壓提高到400V或更高來(lái)降低能耗的系統(tǒng)。與競(jìng)爭(zhēng)品牌的900V產(chǎn)品相比,意法半導(dǎo)體全新950V功率MOSFET的安全工作面積更大,可靠性更高。高壓電源設(shè)計(jì)人員還可以使用一個(gè) 單一950V MOSFET取代雙晶體管電路,從而簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),縮減尺寸,減少元器件數(shù)量。

此外,STx7N95K3系列的額定雪崩電流高于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品,這個(gè)優(yōu)勢(shì)可確保產(chǎn)品能夠承受高于擊穿電壓的電涌,因?yàn)檫^(guò)高的浪涌電流會(huì)燒毀器件。新產(chǎn)品的額定雪崩電流為9A,而實(shí)力最接近的競(jìng)爭(zhēng)品牌的900V產(chǎn)品的額定雪崩電流大約只有1A。

除更強(qiáng)的耐高壓能力外,STx7N95K3系列還實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)通損耗最小化,導(dǎo)通電阻RDS(ON)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導(dǎo)通電阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%,設(shè)計(jì)人員可以提高功率密度及能效。

同時(shí),因?yàn)檫_(dá)成低柵電荷量(QG)和低本征電容,這些新的MOSFET還能提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能,這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員可以使用更高的開(kāi)關(guān)頻率、尺寸更小的元器件,以進(jìn)一步提高能效和功率密度。

STx7N95K3 MOSFET實(shí)現(xiàn)這些性能優(yōu)勢(shì)歸功于意法半導(dǎo)體的最新一代SuperMESH3?技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝:STF7N95K3采用 TO-220FP封裝;STP7N95K3采用標(biāo)準(zhǔn)的TO-220封裝;STW7N95K3采用TO-247封裝。

隨后將推出的新產(chǎn)品是:950V 的BVDSS STW25N95K3、STP13N95K3、STD5N95K3和 1200V 的BVDSS STP6N120K3。在推出這些產(chǎn)品后,意法半導(dǎo)體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品,包括850V、950V、1050V和1200V系列產(chǎn)品。

STx7N95K3系列已投產(chǎn)。

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