包括ASE（AdvancedSemiconductorEngineering），Altera，ADI(AnalogDevices)，LSI，安森美以及高通公司在內(nèi)的6家半導(dǎo)體公司現(xiàn)已加入了3DIC芯片堆疊技術(shù)啟動項目，該消息是由美國半導(dǎo)體制造技術(shù)聯(lián)盟（Sematech）于日前所公布。

　　去年Sematech宣布建成了首個300mm規(guī)格3DIC試產(chǎn)產(chǎn)線，該產(chǎn)線建在紐約州立大學(xué)納米科學(xué)與工程學(xué)院下屬的奧爾巴尼納米技術(shù)研究中心（CNSE）內(nèi)，而Sematech的3DIC芯片堆疊技術(shù)研究則是以該研究中心為核心展開的。在此之前，除了CNSE之外，已經(jīng)有GlobalFoundries，惠普，Hynix，IBM，Intel，三星以及聯(lián)電幾家公司加入了這個研究項目。

　　2010年12月份，Sematech聯(lián)合半導(dǎo)體協(xié)會(SIA)以及半導(dǎo)體研究協(xié)會(SRC)一起啟動了一項新的3DIC芯片堆疊技術(shù)啟動項目，該項目成立的目的是促進3DIC技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化和對異構(gòu)型3DIC整合技術(shù)進行研究。項目的首要目標(biāo)是確立出一套與3DIC關(guān)鍵技術(shù)如量檢測技術(shù)，芯片鍵合技術(shù)，微凸焊點（microbumping）等有關(guān)的技術(shù)和規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)。