雙向可控硅調(diào)光電路實例介紹
本文用一個臺燈調(diào)光實例說明介紹一下雙向可控硅的調(diào)光電路，先說明一下電路的工作原理，鍵控式調(diào)光燈利用兩個輕觸式按鍵調(diào)光，當(dāng)按下其中一個按鍵時，光線就會由強(qiáng)變?nèi)�，如是按下別一個按鍵時，光線就會由弱變強(qiáng)。從而達(dá)到調(diào)光的目的。
雙向可控硅調(diào)光電路原理介紹：
如圖所示，VD1、VD2、C2、C3組成電容降壓式直流電源，由MOS場效應(yīng)管、C1等組成雙向可控硅VS的觸發(fā)電路。DW為保護(hù)二極管，防止場效應(yīng)管柵極擊穿。當(dāng)按下S1時，由R1向C1充電，使柵極電壓上升，雙向可控硅的觸發(fā)電流上升，導(dǎo)通角變大，光線增加，當(dāng)按下S2時，C1沿R2放電，柵極電壓下降，雙向可控硅的導(dǎo)通角變小，光線變暗。當(dāng)S1、S2都放開時，由于MOS場效應(yīng)管的柵源電阻很大，C1兩端的電壓將基本不變，所以可控硅的導(dǎo)通角也將不變，光線穩(wěn)定下來。場效應(yīng)管JF的IDSS≥5ｍA，BVDS≥15V，可控硅VS選用1A/400V即可，如3CTS1A等。其它元件無特殊要求，具體數(shù)值已標(biāo)在圖中。電阻R1、R2的數(shù)值決定了電容C1的充放電時間。在制作時，若光線變化太快時，應(yīng)適當(dāng)增大R1、R2的數(shù)值，反之應(yīng)減小。電路實用性非常大，在制作調(diào)試時，要耐心調(diào)試，一定會達(dá)到最佳效果。下面是元器件參數(shù)表：
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