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分析可控硅整流器的特點(diǎn)優(yōu)勢及應(yīng)用

時(shí)間:2020-07-16 11:45:47來源: 作者: 點(diǎn)擊:
可控硅整流器是一種以晶閘管(電力電子功率器件)為基礎(chǔ),以智能數(shù)字控制電路為核心的電源功率控制電器。具有效率高、無機(jī)械噪聲和磨損、響應(yīng)速度快、體積小、重量輕等諸多優(yōu)點(diǎn)。“NX70系列晶閘管整流器”通過對電壓、電流和功率的精確控制,從而實(shí)現(xiàn)精密控溫。并且憑借其先進(jìn)的數(shù)字控制算法,優(yōu)化了電能使用效率。對節(jié)約電能起了重要作用。

波形系數(shù)Kf=Ite/IT(AV)=1.57

額定電壓應(yīng)取實(shí)際工作時(shí)的可能最大電壓2~3倍,即電壓裕量。

同時(shí)還要加上必要的保護(hù)措施。

門極觸發(fā)電流:幾十個(gè)mA~幾百mA,離開這個(gè)范圍可能誤觸發(fā)或難觸發(fā)

門極觸發(fā)電壓:3V左右

臺面有凹臺和凸臺之分,散熱器與此有關(guān)

2.主電路型式及多相整流

一、單相

1. 單相半波可控整流電路

2. 單相全波可控整流電路(雙半波)

3. 單相半控橋式可控整流電路

4. 單相橋式可控整流電路

二、三相

1. 三相半波可控整流電路

2. 三相橋式全控整流電路

3. 三相橋式半控整流電路

4. 三相全控橋式同相逆并聯(lián)整流電路

5. 雙反星形帶平衡電抗器可控整流電路

6. 雙反星形帶平衡電抗器全電路同相逆并聯(lián)可控整流Δ/Y┻Y+ Y┻Y

三、多相整流

多相整流可以大幅降低高次諧波電流,減少對電網(wǎng)的污染。

不論是三相橋式還是雙反星形電路都可以組成多相整流。如12、24、36、48脈波,即在一個(gè)交流周波中直流脈動次數(shù)。一般來說,24脈波以上變壓器結(jié)構(gòu)相對較復(fù)雜,整變閥側(cè)出線銅排較多,這樣帶來了一些其它困難。大容量機(jī)組可以用多臺整流機(jī)組,通過移相相位差及并聯(lián)運(yùn)行來實(shí)現(xiàn)多相整流。

3.保護(hù)

可控硅本身在選擇時(shí)就已準(zhǔn)備了很大的電流電壓裕量。為了使整流器可靠的工作,還必須加上各種保護(hù)。過流,限流,過壓,快熔斷,元件損壞,水壓異常,水溫高,缺相,欠支路,橋臂過熱,防雷擊,控制電路過流過壓失控等;整變輕重瓦斯,油溫異常。

(1)晶閘管關(guān)斷過電壓(換流過電壓、空穴積蓄效應(yīng)過電壓)及保護(hù)

晶閘管從導(dǎo)通到阻斷,線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,在關(guān)斷過程中,管子在反向作用下,正向電流下降到零時(shí),元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,使殘存的載流子迅速消失,這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大,產(chǎn)生的感應(yīng)電勢很大,這個(gè)電勢與電源串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓(換相過電壓)。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍。保護(hù)措施:在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。

(2)交流側(cè)過電壓及其保護(hù)

由于交流側(cè)電路在接通或斷開時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過程,會產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間,由于初次級之間存在分布電容,初級高壓經(jīng)電容耦合到次級,出現(xiàn)瞬時(shí)過電壓。措施:在三相變壓器次級星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容,就可以顯著減小這種過電壓。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時(shí),因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時(shí),初級拉閘,因變壓器激磁電流的突變,在次級感生出很高的瞬時(shí)電壓,這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6倍以上。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過電壓,即偶發(fā)性浪涌電壓,都必須加阻容吸收路進(jìn)行保護(hù)。

(3)直流側(cè)過電壓及保護(hù)

當(dāng)負(fù)載斷開時(shí)或快熔斷時(shí),儲存在變壓器中的磁場能量會產(chǎn)生過電壓,顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以抑制這種過電壓,但由于變壓器過載時(shí)儲存的能量比空載時(shí)要大,還不能完全消除。措施:能常采用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù)。

(4)過電流保護(hù)

一般加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù),實(shí)際上它不能保護(hù)可控硅,而是保護(hù)變壓器線圈。

(5)電壓、電流上升率的限制

4.均流與晶閘管選擇

均流不好,很容易燒壞元件。為了解決均流問題,過去加均流電抗器,噪聲很大,效果也不好,一只一只進(jìn)行對比,擰螺絲松緊,很盲目,效果差,噪音大,耗能。我們采用的辦法是:用計(jì)算機(jī)程序軟件進(jìn)行動態(tài)參數(shù)篩選匹配、編號,裝配時(shí)按其號碼順序裝配,很間單。每一只元件上都刻有字,以便下更換時(shí)參考。這樣能使均流系數(shù)可達(dá)到0.85以上。為了減少并聯(lián),選用大元件。這樣可以進(jìn)一步提高均流度,并減小損耗,因?yàn)槊恳恢辉即嬖谝粋(gè) 壓降, 這也是整流器的主要損耗。

5.觸發(fā)控制電路

目前,可控硅觸發(fā)電路有很多:模擬IC集成觸發(fā)電路,其中有國產(chǎn)IC KJ004(KJ009); 進(jìn)口IC有TCA785 ,787電路;數(shù)字觸發(fā)(一種邏輯芯片)模擬控制,可同步鎖相;單片機(jī)觸發(fā)控制電路也越來越廣泛應(yīng)用,都可PI調(diào)節(jié)。都能滿足可控硅的觸發(fā)要求。

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